کنترل نوار عبوری در گاف نواری در بلورهای فوتونیک یک بعدی ناخالص

در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از طول موج و دما به طور هم زمان در نظر گرفته می شود، در حالی که ضریب شکست هوا مستقل از طول موج و دما است.طول موج مرکزی مد نقص به پهنای لایه ی نقص وابسته است، بنابراین می توان طول موج مرکزی مد نقص را با تغییر در پهنای لایه ی نقص تغییر داد، از این خاصیت می توان برای جدا سازی و ایجاد طول موج های معین از خروجی یک دستگاه اپتیکی متشکل از بلورهای فوتونیک استفاده نمود.‏